昆山正性光刻胶集成电路材料

三苯基硫鎓盐是常用的EUV光刻胶光致产酸剂，也具有枝状结构。佐治亚理工的Henderson课题组借鉴主体材料键合光敏材料的思路，制备了一种枝状单分子树脂光刻胶TAS-tBoc-Ts。虽然他们原本是想要合成一种化学放大型光刻胶，但根据是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈现负胶也可呈现正胶性质。曝光后若不后烘，硫鎓盐光解形成硫醚结构，生成的光酸不扩散，不会引发t-Boc的离去；曝光区域不溶于水性显影液，未曝光区域为离子结构，微溶于水性显影液，因而可作为非化学放大型负性光刻胶。曝光后若后烘，硫鎓盐光解产生的酸引发链式反应，t-Boc基团离去露出酚羟基；使用碱性显影液，曝光区域的溶解速率远远大于未曝光区域，因此又可作为化学放大型正性光刻胶。这个工作虽然用DUV光刻和电子束光刻测试了此类光刻胶的光刻性能，但由于EUV光刻机理与电子束光刻的类似性，本工作也为新型EUV光刻胶的设计开辟了新思路。碳酸甲酯型光刻胶：这种类型的光刻胶在制造高分辨率电路元件方面非常有用。昆山正性光刻胶集成电路材料

KrF光刻时期，与ESCAP同期发展起来的还有具有低活化能的酸致脱保护基团的光刻胶，业界通称低活化能胶或低温胶。与ESCAP相比，低活化能胶无需高温后烘，曝光能量宽裕度较高，起初由日本的和光公司和信越公司开发，1993年，IBM公司的Lee等也研发了相同机理的光刻胶KRS系列，商品化版本由日本的JSR公司生产。其结构通常为缩醛基团部分保护的对羟基苯乙烯，反应机理如图12所示。2004年，IBM公司的Wallraff等利用电子束光刻比较了KRS光刻胶和ESCAP在50nm线宽以下的光刻性能，预示了其在EUV光刻中应用的可能性。普陀KrF光刻胶集成电路材料聚合度越小，发生微相分离的尺寸越小，对应的光刻图形越小。

2008年起，日本大阪府立大学的Okamura课题组利用聚对羟基苯乙烯衍生物来构造非化学放大型光刻胶。他们制备了对羟基苯乙烯单元和含有光敏基团的对磺酰胺苯乙烯单元的共聚物，作为光刻胶的主体材料。光照下，光敏剂产生自由基，使对羟基苯乙烯链之间发生交联反应，可作为EUV负性光刻胶使用。随后，他们又在对羟基苯乙烯高分子上修饰烯烃或炔烃基团，体系中加入多巯基化合物作为交联剂，以及光照下可以产生自由基的引发剂，构建了光引发硫醇-烯烃加成反应体系，该体系同样可以作为EUV负性光刻胶使用。值得指出的是，上述工作使用的对羟基苯乙烯衍生物的分子量均比较小，有助于提高光刻胶的分辨率。由于均为自由基反应，光刻过程的产气量也明显小于一般的光刻胶体系。

从光刻设备角度来看，EUV光刻与其他波长光刻关键的两点差异是光源强度和散粒噪声。尽管有多种方式可获得EUV光，商用EUV光刻机使用的是激光激发的等离子体（LPP）发光，其输出功率曾长期是制约EUV光刻技术商用的瓶颈问题；另外，EUV光刻使用的是反射镜成像系统，而非传统的透过折射镜片组，且效率不高。因此在EUV光刻发展的早期，通常都要求EUV光刻胶具有较高的灵敏度。同时，EUV光子能量（约为92eV）远高于以前几代光刻技术光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是说，对于同样的曝光能量，光子数目远少于前几代的光刻技术，这就导致散粒噪声增加，从而造成线宽/线边缘粗糙度的升高。而灵敏度过高并不利于克服散粒噪声的影响，所以随着EUV光源功率不断提升，业界对EUV光刻胶的要求从“提高灵敏度”逐渐变为“利用一定程度的灵敏度来降低粗糙度”。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。

利用基团变化导致光刻胶溶解性变差构建负性光刻胶的，还有日本日立公司的Kojima等，他们与日本东京应化工业的研发人员开发了一种枝状单分子树脂分子3M6C-MBSA-BL。3M6C-MBSA-BL内含有γ-羟基羧酸基团，在强酸的作用下，可以发生分子内脱水，由易溶于碱性显影液的羧酸变为难溶于羧酸显影液的内酯，因而可作为负胶使用。Kojima等只检测了其作为电子束光刻胶的性能，获得了40nm线宽的线条，呈现出较好的抗刻蚀性，但它作为EUV光刻胶的能力还有待验证。光刻胶是一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。上海彩色光刻胶显影

光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。昆山正性光刻胶集成电路材料

2018年，相关研究课题小组报道了一系列含有第VIII族元素的六配位型的配合物，配体为联吡啶或草酸。他们研究了联吡啶数量和草酸根数量的多少对光刻胶灵敏度的影响情况。其中含有两个草酸配体、一个联吡啶配体结构的材料具有较高的灵敏度，也可获得分辨率较高的光刻线条。其他配体结构的灵敏度都不如以上配体结构的灵敏度高。EUV光导致草酸根部分分解后，会发生分子间的交联反应。配合物灵敏度与中心金属原子相关，顺序为Cr